乱流洁净室乱流洁净室的主要特点是从来流到出流(从送风口到回风口)之间气流的流通截面是变化的,洁净室截面比送风口截面大得多,因而不能在全室截面或者在全室工作区截面形成匀速气流。所以,送风口以后的流线彼此有很大或者越来越大的夹角,曲率半径很小,气流在室内不可能以单一方向流动,将会彼此撞击,将有回流、旋涡产生。这就决定乱流洁净室的流态实质是:突变流;非均匀流。这比用紊流来描述乱流洁净室更确切、更全i面。紊流主要决定于雷诺数,也就是主要受流速的影响,但是如果采用一个高i效过滤器**送的送风形式,则即使流速较低,也要产生上述各种结果,这就因为它是一个突变流和非均匀流。因此这种情况下不仅有流层之间因紊流流动而发生的掺混,而且还有全室范围内的大的回流、旋涡所发生的掺混。
光学微电子净化工程一般包括:1、 洁净生产区2、 洁净辅助间(包括人员净化用房、物料净化用室和部分生活用室等)3、 管理区(包括办公、值班、管理和休息)4、 设备区(包括净化空调系统应用、电气用房、高纯水和高纯气用房、冷热设备用房)
材料1. 净化厂房墙、**板材一般多采用50mm厚的夹芯彩钢板制造,其特点为美观、刚性强。圆弧墙 角、门、窗框等一般采用**氧化铝型材制造。2.地面可采用环氧自流坪地坪或高i级耐磨塑料地板,有防静电要求的,可选用防静电型。3.送回风管道用热渡锌板制成,贴净化保温效果好的阻燃型PF发泡塑胶板。4.高i效送风口用不锈钢框架,美观清洁,冲孔网板用烤漆铝板,不生锈不粘尘,宜清洁。
洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在满足工艺要求的条件下,应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举,但作为总的原则看,由于加工精度越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片,净化工程,温度上升1度,就引起了0.24um线性膨胀,所以必须有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠的半导体车间,专业净化工程,这种车间温度不宜**过25度,湿度过高产生的问题更多。相对湿度**过55%时,冷却水管壁上会结露,净化工程设计,如果发生在精密装置或电路中,就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除。相对湿度越高,粘附的越难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电力的作用使粒子也*吸附于表面,同时大量半导体器件*发生击穿。对于硅片生产较i佳湿度范围为35—45%。